【電子工程EE名?！苛_切斯特理工

發(fā)布時(shí)間：2015-01-13     來源：美國留學(xué)

羅切斯特理工大學(xué)簡介：

羅切斯特理工學(xué)院創(chuàng)辦于1829，至今已有175年的歷史，為著名美國理工高校。學(xué)校有8所學(xué)院，注重未來事業(yè)型、經(jīng)驗(yàn)型人才培養(yǎng)。作為美國北部學(xué)術(shù)聲譽(yù)最佳的地區(qū)性大學(xué)，該校被USNewsandWorldReport評為美國北部第7名;攝影專業(yè)全美排名第一;計(jì)算機(jī)圖像輔助設(shè)計(jì)是全美最好的專業(yè)之一。學(xué)校占地1300多英畝，是美國20所最大的私立大學(xué)之一。學(xué)生來自90多個(gè)國家和地區(qū)，有1400多名國際學(xué)生在校學(xué)習(xí)，有898位全職教師，445位兼職教師，其他教職員工1750位;80%的教師具有博士學(xué)位。學(xué)校擁有宿舍、圖書館、計(jì)算機(jī)中心、學(xué)生中心、活動中心等。

 

大羅切斯特地區(qū)，包括羅切斯特城和其周邊地區(qū)共有700,000人口，有很多國際知名公司和企業(yè)，是柯達(dá)、伊洛斯及寶樹公司總部所在地。羅切斯特還是全美第四大出口城市，是美國最大的光學(xué)產(chǎn)品的生產(chǎn)基地，在繪畫藝術(shù)、電子設(shè)備和精密儀器等方面享有很高的國際聲譽(yù)。地方工業(yè)、企業(yè)與學(xué)校有著緊密合作關(guān)系。

美國羅切斯特理工學(xué)院微電子工程碩士專業(yè)描述：

微電子工程碩士課程設(shè)置目的是為了給學(xué)生提供一個(gè)很好的專業(yè)和學(xué)歷背景，為其進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或者進(jìn)入博士學(xué)位研讀做了很充分的鋪墊。本碩士課程要求畢業(yè)生有很強(qiáng)的微電子專業(yè)知識基礎(chǔ)，畢業(yè)時(shí)完成專業(yè)畢業(yè)論文，最終培養(yǎng)其基礎(chǔ)科學(xué)理論修養(yǎng)，為更好的和集成電路實(shí)際應(yīng)用打好基礎(chǔ);其次培養(yǎng)專業(yè)學(xué)生對專業(yè)感知的預(yù)見性和敏銳力，對一切既存的和可能出現(xiàn)的微電子工程相關(guān)產(chǎn)業(yè)有一定的了解，如工程裝置，電路設(shè)計(jì)，原料和加工等;第三，通過口頭陳述，報(bào)告和發(fā)表文章的方式有效的傳播專業(yè)知識。

美國羅切斯特理工學(xué)院微電子工程碩士就業(yè)方向：

鑒于半導(dǎo)體行業(yè)對微電子工程專業(yè)的重要依賴作用，本校畢業(yè)的本科生屬于這個(gè)行業(yè)極具競爭力的資源。畢業(yè)生主要到微電子學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域從事科研、教學(xué)、科技開發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理與行政管理等工作。

美國羅切斯特理工學(xué)院微電子工程碩士入學(xué)要求：

學(xué)術(shù)要求：

本科畢業(yè)，獲得本科學(xué)位證;

語言要求：

1.托福筆試550，或托福機(jī)考213分，或托福網(wǎng)考79分;

2.或雅思6.5分;

3.有雙錄取;

其他要求：

需要具備相關(guān)專業(yè)背景。

美國羅切斯特理工學(xué)院微電子工程碩士申請材料：

1.申請表;

2.學(xué)歷證明以及成績單;

3.英語語言能力證明;

4.提交50美元申請費(fèi);

5.銀行資金證明。

 

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